三星 UFS 4.0 储存元件发表 存取效率更高、更省电、容量更大 将带动手机、自驾车、虚拟视觉头戴装置等边缘运算

在三星的UFS 4.0储存元件设计中,採用旗下第7代V-NAND垂直记忆体,搭配专利设计的控制器,藉此对应每秒可达4200MB连续读取速度表现,同时在连续写入则可达每秒2800MB,相比UFS 3.1规格的使用功耗则会降低46%,意味将可让

在三星的UFS 4.0储存元件设计中,採用旗下第7代V-NAND垂直记忆体,搭配专利设计的控制器,藉此对应每秒可达4200MB连续读取速度表现,同时在连续写入则可达每秒2800MB,相比UFS 3.1规格的使用功耗则会降低46%,意味将可让智慧型手机待机时间大幅增加。

三星半导体 (Samsung Semiconductor)宣布推出旗下UFS 4.0储存元件,标榜提供业界最高存取效能,在每组通道可达23.2 Gbps传输速度,将是目前主流规格UFS 3.1的2倍以上。

除了将近一步提升智慧型手机资料存取效率,并且增加终端装置上的运算效能,三星更标榜能透过UFS 4.0储存元件带动自驾车、扩增实境及虚拟实境运算效能。

在三星的UFS 4.0储存元件设计中,採用旗下第7代V-NAND垂直记忆体,搭配专利设计的控制器,藉此对应每秒可达4200MB连续读取速度表现,同时在连续写入则可达每秒2800MB,相比UFS 3.1规格的使用功耗则会降低46%,意味将可让智慧型手机待机时间大幅增加。

目前三星提出的UFS 4.0储存元件将以最大11mm x 13mm x 1mm体积打造,储存容量最高可达1TB,预计会在今年第三季进入量产,没意外的话将会广泛应用在年底,或是明年推出的高阶手机产品。

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